MoneyDJ新聞 2015-10-12 08:45:49 記者 陳苓 報導
韓廠獨霸記憶體市場，美國業者不甘落後，計畫絕地反攻，繼英特爾(Intel)和美光(Micron)之後，惠普(HP)也宣布和SanDisk合作研發「可變電阻式記憶體」(ReRAM)科技。新技術可取代DRAM，速度並是NAND Flash的1千倍。
Computerworld、巴倫(Barronˋs)財經網站報導，惠普和SanDisk 8日宣布長期結盟，將結合惠普的記憶電阻(Memristor)和SanDisk的ReRAM技術，開發記憶體導向運算的新企業解決方案。兩家公司宣稱，新技術的速度和耐受度為Flash的1千倍，成本、用電量、密度也優於DRAM，將可解決社群媒體、保全、行動運算、海量資料、雲端、物聯網的龐大數據匯流需求。
Susquehanna Financial Group的Mehdi Hosseini報告預估，ReRAM可能是繼3D NAND之後的新技術，或許會在2020年漸成氣候，近期內不大可能成真。惠普和SanDisk砸下重金研發，ReRAM科技將有大幅進展。
美國企業試圖奪回記憶體市場主導權，英特爾、美光7月29日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多，如此革新的技術讓三星電子、SK Hynix大為緊張。BusinessKorea 8月7日報導，3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改變資料儲存的方式，半導體專家相信，自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之後，3D XPoint會是這30年間一個相當重要的變革。
韓媒 BusinessKorea 6月16日報導，南韓半導體業者指出，16奈米將是DRAM微縮製程的最後極限，10奈米以下製程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合採用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM和NAND Flash，業者正全力研發。
兩種新記憶體都是非揮發性記憶體，切斷電源後資料也不會消失，速度比現行記憶體快上數十倍到數百倍之多，由於內部構造較為簡單，理論上未來微縮製程也有較大發展空間。其中MRAM採用磁阻效應(Magnetoresistance)技術，研發業者有SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)。ReRAM則靠著絕緣體的電阻變化，區別0和1，外界認為或許能取代NAND型快閃記憶體(NAND Flash)。
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