精實新聞 2014-05-08 17:57:16 記者 萬惠雯 報導
III-V族半導體磊晶廠F-IET(4971,英特磊)於今(9)日召開法說會，並釋出財報。F-IET今年第一季營收為1.22億元，季衰退6.8%，毛利率升至45.3%、營益率升至28.3%，稅後盈餘為1975萬元，年增加31.6%，EPS為0.66元。
F-IET總經理高永中(見圖,站者)表示，第一季營收下降主要受總體III-V族半導體業環境影響，季成長略微下滑6.8%，但隨著全球物聯網（IoT ，Internet of Things）生態逐漸成熟，對於光通網路及高頻元件將有更高格局之需求，將直接帶動III-V族半導體的需求，公司內部期望今年有逐季成長的表現。法人估，F-IET今年營收年成長約在5-15%的水準。
而在產品別的部分，第一季在磷化銦占比重為52.5%，砷化鎵占比重22%，銻化鎵占比重為25.4%；而以毛利率排序由高至低則為銻化鎵、磷化銦、砷化鎵。
高永中表示，砷化鎵磊晶片需求於5月初回升，與法商化合物半導體廠Soitec策略聯盟及技術授權進行良好，大廠認證進度正常，且深耕非行動通訊的高端高速產品，如汽車防撞雷達、高速光纖通訊和衛星通訊晶片等。
磷化銦磊晶部分，第一季占營收比過半，將調高產能配置，開發關鍵光偵檢器磊晶技術，拓展光電晶片於光通訊應用，如資料中心、雲端運動市場。
銻化鎵基板/磊晶垂直市場，整合為主流的高毛利產品，加強基板生產、拉晶、切片量產能力，研磨、磊晶生長和測試技術也趨成熟，並加強與客戶合作完成商用紅外磊晶片產業化，逐漸進入商用模式，以及開發生產其它III-V和II-VI化合物半導體基板材料。
高永中表示，今年資本支出預計為600萬美金，公司將辦理3億元可轉債進行擴產。
