不讓東芝專美於前 三星計畫明年量產10nm等級Flash

精實新聞 2011-11-11 09:01:27 記者 蔡承啟 報導

朝鮮日報日文版11日報導，全球NAND型快閃記憶體(Flash Memory)龍頭廠三星電子已研發出採用10nm等級的NAND Flash試作品，並在三星總合技術院於10日舉行的「三星技術展2011」上正式對外發表。報導指出，三星電子計畫於明(2012)年內量產10nm等級NAND Flash產品。報導並指出，三星競爭對手東芝(Toshiba)雖已於今年上半年發表了10nm等級(19nm)NAND Flash試作品，並表明將於今年7月進行量產，惟量產品似乎仍未出貨至市場上。

東芝於5月24日宣布，該公司和SanDisk攜手研發的19nm NAND Flash產品將於今年7月進行量產。東芝與SanDisk合資的12吋NAND Flash新廠「Fab 5」已於今年7月12日正式啟用投產。

日經曾於日前報導指出，東芝計畫將Fab 5定位為最先端產品的核心生產據點，以藉此開始正式量產採用24nm及19nm製程的最先端NAND Flash產品。據報導，東芝計畫於9月份時將採用19/24nm製程的最先端Flash產品佔產能的比重一口氣提高至60%的水準。