Panasonic傳將量產新型MCU 內藏次世代記憶體ReRAM

精實新聞 2012-05-15 09:30:22 記者 蔡承啟 報導

日本媒體日刊工業新聞15日報導，Panasonic計劃在旗下北陸工廠內整備出一條活用8吋晶圓、且採用0.18μm製程的產線，並計劃於2013年1-3月期間開始量產一款新型微控制器(MCU)產品，該款MCU產品將內藏被視為非揮發性記憶體次世代產品的ReRAM(可變電阻式記憶體)；ReRAM為一種即便關掉電源數據資料也不會消失的記憶體。

報導指出，Panasonic所將量產的MCU產品可藉由0.9V的電源電壓進行動作，和Panasonic現行內藏Flash Memory的MCU相比，其低速運轉時的動作電流可減半，且待機時的動作電流可刪減約8成至0.1uA以下。報導指出，就內藏非揮發性記憶體的MCU來看，Panasonic所將量產的產品的低耗電效能將達業界頂級水準。

Panasonic於2月23日宣布，已研發出處理速度(寫入速度)達全球(業界)最高的新型ReRAM產品。Panasonic指出，該公司利用0.18μm製程試作出雙層交叉開關矩陣(Cross-Point)構造，成功將ReRAM記憶容量提升至8Mbit、處理速度達全球最快的443MB/s，而藉由此次的新研發，可望實現ReRAM的高速化及大容量化。