FinFET(Fin Field-Effect Transistor)稱為鰭式場效電晶體，電晶體的閘極環繞包裹著電晶體的高架通道，形狀與魚鰭相似，因而命名。FinFET是一種新型的多重閘極3D電晶體，提供更佳功耗和效能優勢，遠勝過傳統平面型電晶體。
FinFET源自傳統場效電晶體(FET)，傳統電晶體結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬於平面架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的3D架構，可於電路的兩側控制電路的接通與斷開，與平面電晶體相比，FinFET能夠更妥善地控制電流，並同時降低漏電和動態功耗。
FinFET是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)電晶體，閘長已可小於25nm，未來可進一步縮小至9nm，約是人類頭髮寬度的1萬分之1。與28nm製程相比，16/14nm的FinFET製程可以提高40-50%效能，或減少50%功耗。
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