MoneyDJ新聞 2021-06-11 13:36:03 記者 蔡承啟 報導
在車用需求加持下，碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體需求衝、預估將以每年約20%的速度呈現增長，其中2030年SiC產品市場規模預估將跳增2.8倍、GaN將飆增6.5倍。
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)10日公布調查報告指出，因汽車/電子設備、產業用需求大幅萎縮，拖累2020年全球功率半導體市場規模年減3.8%至2兆8,043億日圓，其中矽(Si)製產品規模萎縮4.0%至2兆7,529億日圓、SiC等次世代產品市場成長9.6%至514億日圓。
在次世代產品中，2020年SiC功率半導體市場規模年增9.6%至493億日圓、GaN功率半導體成長15.8%至22億日圓、氧化鎵功率半導體市場則僅有「一點點」。
富士經濟指出，2020年功率半導體市場雖陷入萎縮，不過自2021年以後，因車輛電子化、5G通訊相關投資增加，加上產業領域需求回復，因此預估市場將轉趨擴大，預估2030年市場規模將達4兆471億日圓、將較2020年成長44.3%，其中矽製產品市場規模預估為3兆7,981億日圓、將較2020年成長38.0%。
富士經濟表示，自2021年以後，在汽車/電子設備需求加持下，預估次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現增長，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。
其中，因汽車/電子設備需求加持，來自中國、北美、歐洲的需求揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
功率半導體除了是電動車(EV)的關鍵零件之外，也正擴大應用於工業機器人、離岸風力發電設備等用途，是減碳所不可或缺的產品之一。
目前日系廠商在功率半導體市場上擁有一定的存在感，三菱電機、富士電機、東芝等3家廠商合計握有全球2成市佔。
日經新聞1月15日報導，Rohm計畫在今後5年內投資600億日圓、將使用於EV的SiC功率半導體產能擴增至現行的5倍；富士電機將投資約1,200億日圓擴增日本國內外工廠產能、增產功率半導體；東芝計畫在2023年度結束前投資約800億日圓、將功率半導體產能提高3成。
報導指出，Rohm在SiC功率半導體的研發上居領先，於全球SiC功率半導體市場握有2成市佔率，和英飛凌(Infineon)、STMicroelectronics並列為全球主要供應商之一，而其產能擴增至5倍後、全球市佔率有望提高至3成。Rohm生產的半導體材料也以經由汽車零件廠的形式、使用於特斯拉(Tesla)的EV逆變器(inverter)上。
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