三星2021年量產3奈米製程、進度超越台積電與英特爾

MoneyDJ新聞 2019-05-15 14:41:58 記者 郭妍希 報導

三星電子(Samsung Electronics Co.)週二(5月14日)宣布，將在2021年推出3奈米製程技術，進度超越台積電(2330)與英特爾(Intel Corp.)。

根據新聞稿，三星晶圓製造部總裁ES Jung (見圖) 14日在加州Santa Clara市舉辦的晶圓製造論壇(Samsung Foundry Forum)上表示，3奈米的閘極全環(gate all around，簡稱GAA)製程技術，不但運算效能較7奈米提升35%、還可節省50%電力，晶片面積則縮小45%。

三星表示，3奈米GAA製程技術(3GAE)的研發完全依照進度，PDK (Process Design Kit) 0.1版已在4月釋出，可協助顧客提前展開設計作業，以便提升設計競爭力、降低備貨時間。

另一方面，三星預定今(2019)年下半年量產6奈米製程裝置，同時完成4奈米製程的研發作業。5奈米FinFET製程的產品設計已在4月開始研發，預計今年下半年完成、2020年上半年量產。

CNET 14日報導，顧問機構International Business Strategies執行長Handel Jones說，三星的GAA技術領先台積電約12個月，英特爾則大概落後三星2~3年。

三星晶圓製造事業行銷副總裁Ryan Lee 14日表示，GAA代表三星的晶圓製造進入全新紀元。他說，第一款3奈米製程晶片，是為智慧型手機等行動裝置設計，預計2020年開始測試、2021年量產。更加精細的高效能晶片，例如繪圖處理器、打包進資料中心的人工智慧(AI)晶片等，則會在2020年量產。

Lee並表示，GAA可讓三星把電路微縮至3奈米，加以改進後、甚至可把製程技術進化至2奈米與1奈米。

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