搶市佔！傳三星明年擬砸10兆韓圜 擴產記憶體/晶圓代工
MoneyDJ新聞 2020-11-24 10:25:09 記者 陳苓 報導 三星電子預料明年景氣將復甦，據傳要增加DRAM、NAND flash、晶圓代工產能，準備藉此衝刺市佔，擴大和競爭對手的差距。
韓國時報報導，美系資產組合經理人23日表示：「(增產理由是)明年全年DRAM、NAND將嚴重短缺，帶動價格和獲利復甦」。他說，三星正與零件供應商討論，準備下單。據了解三星DRAM的每月晶圓產能將增加3萬片、NAND增加6萬片、晶圓代工增加2萬片。
增加產能主要在三星南韓平澤(Pyeongtaek)工廠。三星第三季財報會議表示，記憶體晶片庫存回到合理水位，該公司接到更多高利潤的伺服器訂單，預料市況將出現「有意義的逆轉」(meaningful turnaround)。NH Investment分析師Do Hyun-woo說：「三星會積極生產NAND記憶體，不過將對DRAM維持保守態度。由於晶圓代工晶片將短缺，明年三星至少會對平澤廠和美國德州奧斯汀廠投資10兆韓圜」。
該資產組合經理人透露：「一般認為三星不會大幅增加記憶體的晶圓產能，以免重蹈2018年覆轍，這次的上行循環中，(三星)增產作法將更理性。三星調整策略，可能是要趁數位變化、供給收緊時，搶下更大市佔」。
三星優勢鬆動？美光率先推176層NAND
三星電子在NAND flash記憶體的領先地位鬆動？美國記憶體大廠美光(Micron)超車三星，搶先發布了176層的NAND flash。據悉三星苦苦追趕，希望能在明年推出160層或176層的NAND flash。
The Motley Fool先前報導，週一(9日)美光宣布，研發出業界首見的176層NAND flash，已經進入量產，並出貨給客戶。據了解業界領袖三星仍停留128層，正加緊研發，打算在2021年4月之前，推出160層或176層NAND flash。
美光的NAND市佔只有三星的1/3，卻捷足先登、率先研發出176層科技(見下圖)。176層NAND flash比128層多了近40%，是重大領先優勢，美光有望取得更多獲利。
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