陸首批32層3D NAND快閃記憶體晶片料今年內量產
MoneyDJ新聞 2018-04-12 10:10:32 記者 新聞中心 報導 新華社報導，大陸位於武漢「中國光谷」的國家記憶體基地專案晶片生產機台昨(11)日正式進場安裝，這標誌著國家記憶體基地從廠房建設階段進入量產準備階段，大陸首批擁有完全自主智慧財產權的32層3D NAND快閃記憶體晶片將於年內量產，填補中國大陸在主流記憶體領域的空白。
目前，大陸通用記憶體基本全部依賴進口，國家記憶體基地於2017年成功研發大陸首顆32層3D NAND快閃記憶體晶片；這顆耗資10億美元、由1千人團隊歷時2年自主研發的晶片，是大陸在製造工藝上最接近國際高端水準的主流晶片，可望使大陸進入全球存儲晶片第一梯隊，有力提升「中國芯」在國際市場的地位。
據了解，大陸國家記憶體基地專案2016年由紫光集團聯合國家積體電路產業投資基金、湖北積體電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資240億美元，專案一期總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
紫光集團表示，今年10月設備將點亮投產，預計2019年底64層快閃記憶體產品將實現加速量產。未來十年，紫光集團計畫至少還將投資1,000億美元，相當於平均每年投入100億美元，進一步拉近在高端晶片領域與先進國家的距離。
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