MoneyDJ新聞 2017-08-02 13:52:33 記者 郭妍希 報導
看好DRAM、NAND型快閃記憶體的發展，三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK海力士(SK hynix Inc.)傳出今(2017)年的投資額，將刷新歷史新高紀錄。
韓聯社2日報導，消息顯示，三星、SK海力士今年的投資額將高達30兆韓圜(相當於267億美元)。其中，三星已在上半年對設備投資了12.5兆韓圜，直逼去年一整年的投資額度13.1兆韓圜；專家估計，三星今年的投資總額或許會攀升至20兆韓圜，而V-NAND型快閃記憶體、影像感測器和晶圓代工業務將是投資重點。
SK海力士也決定在今年對設備投資9.6兆韓圜，希望能擴充DRAM和NAND型快閃記憶體產能，比稍早預定的7兆韓圜還要高出一些。SK海力士一名主管說，這些投資旨在滿足市場對DRAM、NAND型快閃記憶體日益增多的需求，另外也是為長遠的未來做打算。
不少人擔憂，三星、SK海力士投資大增，恐怕會讓產能過剩，最終導致供給過多、報價下滑。美國記憶體大廠美光(Micron Technology)最近就因為市場憂心供需失衡，股價連番下挫，自7月24日起跌迄今，股價已重挫逾11%。
不過，barron`s.com 1日引述TheFlyontheWall報導，美系外資分析師Christopher Danely發表研究報告指出，美光股價近來雖因市場擔憂記憶體產能過多而下滑，但今年增加的DRAM資本支出(從89億美元上升至99億美元)其實並不多，不致於會導致產業景氣降溫。
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