記憶體晶片景氣將觸頂？大摩降等、三星電子重挫4%

MoneyDJ新聞 2017-11-27 13:21:22 記者 賴宏昌 報導

Thomson Reuters 27日報導，摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)26日以明年記憶體晶片獲利恐難顯著成長為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd, 005930.KS)投資評等自「加碼」降至「中性權重」、目標價下修3.4%至280萬韓圜。大摩指出，隨著NAND型快閃記憶體報價在2017年第4季開始反轉、下行風險隨之升高；在此同時，2018年第1季以後的DRAM供需能見度也已降低。

三星電子10月表示，2018年DRAM、NAND型快閃記憶體供需預估將持續呈現吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%、創一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SK Hynix(000660.KS)一度下跌3.6%、創10月底以來最大跌幅。

韓聯社報導，南韓股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領跌。

嘉實XQ全球贏家報價系統顯示，截至台北時間27日下午12時41分為止，三星電子下跌4.18%、報2,657,000韓圜；開盤迄今最低跌至2,650,000韓圜、創10月27日以來新低。

SK Hynix下跌2.35%、報83,100韓圜；開盤迄今最低跌至82,000韓圜、創11月20日以來新低。

美國記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc., MU.US)11月24日上漲1.10%、收49.68美元，創2000年9月27日以來收盤新高；今年迄今大漲126.64%。

美光將在2017年12月19日公布2018會計年度第1季財報。新聞稿顯示，美光的記憶體與儲存解決方案協助推動人工智慧(AI)、機器學習以及自主駕駛車等顛覆性趨勢。

CNBC 11月10日報導，CM Research研究經理Cyrus Mewawalla表示全球記憶體晶片短缺現象至少會延續至2018年底，主因為DRAM、NAND型快閃記憶體需求來自AI、擴增實境等新且強大的科技循環。例如，美光晶片被用來驅動自駕車、協助汽車系統偵測路面狀況。

英特爾(INTC.US)、美光科技11月13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴建工程。新聞稿指出，規模擴大後的晶圓廠將生產3D XPoint記憶體媒體。成立於2006年的IM Flash合資企業替英特爾與美光生產非揮發性記憶體。

費城半導體指數11月24日漲12.59點或0.95%、收1,341.69點，創歷史收盤新高；週線上漲2.66%、連續第11週收高。

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