印尼矽砂下游化產業政策路徑圖
謹查，為強化印尼產業鏈及提升產品附加價值，印尼投資部針對28項石油天然氣、礦產及農林水產品發布下游化投資政策路徑圖，目標在2023年至2040年間吸引6,180億美元資金投入下游化產業。
據上述下游化投資政策路徑圖，有關矽砂下游化產業要點如次：
(一) 據US Geological Survey Mineral Commodity Summaries 2023及印尼能源暨礦業部2022年資料，2022年印尼矽砂年產量達350萬 TPA(公噸/年)，占世界總產量之0.9%(全球排名第18)。
(二) 印尼盼運用所盛產之矽砂發展太陽能板、半導體上游原料及建築材料產業，推動進程如次：
1. 第1階段(2023-2024)：
(1) 冶金級碳化矽(Metallurgical Silicon Carbide)：設立1座工廠，產能達5 KTPA(千公噸/年)，投資額達1.25億美元。
(2) 冶金級矽(Metallurgical Silicon)：設立1座工廠，產能達32 KTPA(千公噸/年)，投資額達2億9,580萬美元。
2. 第2階段(2025-2029)
(1) 冶金級碳化矽：設立1座工廠，產能達12.5 KTPA(千公噸/年)，投資額達3.13億美元。
(2) 多晶碳化矽(Polysilicon Carbide)：設立1座工廠，產能達7.5 KTPA(千公噸/年)，投資額達8.88億美元。
(3) 碳化矽晶圓(Wafer Silicon Carbide)：設立2座工廠，產能達0.6 KTPA(千公噸/年)，投資額達20億美元。
(4) 半導體組裝及測試(OSAT)：設立2座工廠，產能達0.37 KTPA(千公噸/年)，投資額達2.02億美元。
(5) 冶金級矽：設立1座工廠，產能達64 KTPA(千公噸/年)，投資額達5億9,160萬美元。
(6) 多晶矽(Polysilicon)：設立2座工廠，產能達44.8 KTPA(千公噸/年)，投資額達8億8,357萬美元。
(7) 單晶矽晶圓(Monocrystalline Wafer)：設立1座工廠，產能達35.8 KTPA(千公噸/年)，投資額達9億6,833萬美元。
(8) 太陽能電池：設立1座工廠，產能達39.4 KTPA(千公噸/年)，投資額達10.3億美元。
(9) 太陽能玻璃：設立1座工廠，產能達500 KTPA(千公噸/年)，投資額達2億2,857萬美元。
3. 第3階段(2030-2034)
(1) 冶金級碳化矽：設立1座工廠，產能達12.5 KTPA(千公噸/年)，投資額達3.13億美元。
(2) 多晶碳化矽：設立1座工廠，產能達7.5 KTPA(千公噸/年)，投資額達8.88億美元。
(3) 碳化矽晶圓：設立2座工廠，產能達0.6 KTPA(千公噸/年)，投資額達20億美元。
(4) 半導體製造廠：設立2座工廠，產能達0.1 KTPA(千公噸/年)，投資額達32億美元。
(5) 半導體組裝及測試：設立2座工廠，產能達0.37 KTPA(千公噸/年)，投資額達2.02億美元。
(6) 冶金級矽：設立2座工廠，產能達95 KTPA(千公噸/年)，投資額達8億8,750萬美元。
(7) 多晶矽：設立2座工廠，產能達66 KTPA(千公噸/年)，投資額達13.2億美元。
(8) 單晶矽晶圓：設立1座工廠，產能達53 KTPA(千公噸/年)，投資額達14.5億美元。
(9) 太陽能電池：設立1座工廠，產能達51 KTPA(千公噸/年)，投資額達13.2億美元。
(10) 太陽能玻璃：設立1座工廠，產能達1,000 KTPA(千公噸/年)，投資額達4億5,714萬美元。
4. 第4階段(2035-2038)
(1) 冶金級碳化矽：設立1座工廠，產能達12.5 KTPA(千公噸/年)，投資額達3.13億美元。
(2) 多晶碳化矽：設立1座工廠，產能達7.5 KTPA(千公噸/年)，投資額達8.88億美元。
(3) 碳化矽晶圓：設立2座工廠，產能達0.6 KTPA(千公噸/年)，投資額達20億美元。
(4) 半導體製造廠：設立2座工廠，產能達0.1 KTPA(千公噸/年)，投資額達32億美元。
(5) 半導體組裝及測試：設立2座工廠，產能達0.37 KTPA(千公噸/年)，投資額達2.02億美元。
(6) 冶金級矽：設立2座工廠，產能達126 KTPA(千公噸/年)，投資額達11.8億美元。
(7) 多晶矽：設立2座工廠，產能達88 KTPA(千公噸/年)，投資額達17.6億美元。
(8) 單晶矽晶圓：設立2座工廠，產能達70 KTPA(千公噸/年)，投資額達19.4億美元。
(9) 太陽能電池：設立2座工廠，產能達95 KTPA(千公噸/年)，投資額達24.9億美元。
(10) 太陽能玻璃：設立1座工廠，產能達1,000 KTPA(千公噸/年)，投資額達4億5,714萬美元。
5. 第5階段(2039-2040)
(1) 冶金級碳化矽：設立1座工廠，產能達2.5 KTPA(千公噸/年)，投資額達6,250萬美元。
(2) 多晶碳化矽：設立1座工廠，產能達1.5 KTPA(千公噸/年)，投資額達1.78億美元。
(3) 碳化矽晶圓：設立1座工廠，產能達0.12 KTPA(千公噸/年)，投資額達4億美元。
(4) 半導體製造廠：設立1座工廠，產能達0.025 KTPA(千公噸/年)，投資額達8億美元。
(5) 半導體組裝及測試：設立1座工廠，產能達0.07 KTPA(千公噸/年)，投資額達4千萬美元。
(6) 冶金級矽：設立2座工廠，產能達126 KTPA(千公噸/年)，投資額達11.8億美元。
(7) 多晶矽：設立2座工廠，產能達88 KTPA(千公噸/年)，投資額達17.6億美元。
(8) 單晶矽晶圓：設立2座工廠，產能達70 KTPA(千公噸/年)，投資額達19.4億美元。
(9) 太陽能電池：設立4座工廠，產能達195 KTPA(千公噸/年)，投資額達51億美元。
(10) 太陽能玻璃：設立1座工廠，產能達1,500 KTPA(千公噸/年)，投資額達6億5,870萬美元。(資料來源：經濟部國際貿易署)
