MoneyDJ新聞 2017-06-29 10:06:01 記者 蔡承啟 報導
全球第2大NAND型快閃記憶體廠東芝(Toshiba)28日宣布，已攜手SanDisk研發出全球首款採用堆疊96層製程技術的3D NAND Flash產品，且已完成試作、確認基本動作。該款堆疊96層的3D NAND試作品為256Gb(32GB)、採用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計於2017年下半送樣、2018年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用SSD、PC用SSD以及智慧型手機、平板電腦和記憶卡等市場。
上述堆疊96層的3D NAND將利用東芝四日市工廠「第5廠房」、「新第2廠房」以及預計2018年夏天完成第1期工程的「第6廠房」進行生產。
東芝今後也計畫推出採用堆疊96層製程技術的512Gb(64GB)3D NAND產品以及採用全球首見的4bit/cell(QLC = Quad-Level Cell)技術的3D NAND產品。
東芝目前已量產堆疊64層的3D NAND產品，而和64層產品相比，96層3D NAND每單位面積的記憶容量擴大至約1.4倍，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加、每bit成本也下滑。
東芝並於28日宣布，已試作出全球首見、採用4bit/cell(QLC)技術的3D NAND產品(見附圖)，且已完成基本動作及基本性能的確認。該款QLC試作品為採用堆疊64層製程技術、實現業界最大容量的768Gb(96GB)產品，已於6月上旬提供給SSD廠、控制器廠進行研發使用。
東芝表示，堆疊16片768Gb晶片、實現業界最大容量1.5TB的QLC技術產品預計於2017年8月送樣，且該款1.5TB產品將在8月7-10日期間於美國聖塔克拉拉舉行的「Flash Memory Summit 2017」上進行展示。
東芝於28日宣布，為了因應3D NAND需求擴大，將砸下1,800億日圓進行增產投資。
根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至台北時間29日上午9點28分為止，東芝崩跌5.15%至272.8日圓。
根據IHS Technology的資料顯示，2016年三星NAND Flash全球市佔率(以金額換算)達35.2%、穩居首位，東芝以19.3%居次、WD以15.5%位居第3。
三星6月15日宣布，64層256Gb V-NAND(第4代V-NAND)已開始進行量產，且計畫在2017年年底之前將64層產品產量佔整體NAND月產量比重提高至50%以上水準。
日經新聞5月30日報導，南韓三星電子計畫砸下10兆韓圜(約1兆日圓)在中國西安工廠設置第2條NAND型快閃記憶體(Flash Memory)產線，目標在2019年將西安工廠月產能提高至現行的2倍。該條新產線預計於今年內動工，完工投產後、合併第1條產線產能計算，西安工廠月產能將倍增至22萬片(以矽晶圓換算)。三星西安工廠主要生產最先端的3D NAND Flash產品。
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
