SK砸錢擴產！3D NAND恐過剩、DRAM漲勢畫句點？

MoneyDJ新聞 2017-07-28 08:27:05 記者 陳苓 報導

記憶體進入製程轉換，產能大減，從去年下半到今年上半以來，DRAM均價飆升17%、NAND均價攀漲12%，難怪業者無不撒錢擴產。但是IC Insights警告，過度投資恐怕會導致產能過剩。

韓媒etnews報導(見此)，韓國記憶體大廠SK海力士(SK hynix)26日表示，今年將斥資86.1億美元(9.6兆韓圜)，進行設備投資。此一金額比年初宣布數字高出37%、也比該公司去年的設備投資總額高出53%。

SK海力士撒錢，是想讓新廠提前完工。該公司主管Lee Myung-young說，生產DRAM的中國無錫廠和生產NAND flash的韓國清州(Cheongju)廠，原定完工時間是2019年上半，如今將提早至2018年第四季，比預定時間提早半年。

SK海力士強調，新廠落成後，記憶體產出不至於暴增，估計DRAM和NAND flash產能只會增加3~5%，呼籲市場放心。業界人士認為，這是因為資金多用於技術升級。

然而記憶體業者大手筆投資，仍讓IC Insights憂心忡忡。該機構18日新聞稿稱(見此)，記憶體以往市況顯示，過度投資常會造成產能過剩、削弱價格。未來幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk、武漢新芯(XMC)/長江存儲(Yangtze River Storage)都大舉提高3D NAND flash產能，未來可能還有中國新業者加入戰場，3D NAND flash產能過多的可能性「非常高」(very high)。

此外，DRAM和NAND的價格漲勢也逐漸放緩(圖表見此)。儘管DRAM均價漲勢在2016年第四季觸頂，但是直到2017年Q2仍表現強健。IC Insights估計，今年Q3 DARM均價將略為上揚，Q4則微幅下跌，代表DRAM上升循環告終。

路透社、美聯社等多家外電報導，三星4日宣布，要砸至少21.4兆韓圜(相當於186.3億美元)，擴充生產線。2021年為止，要對位於平澤市的NAND型快閃記憶體廠房投入14.4兆韓圜，並對華城市新建的半導體生產線投入6兆韓圜。位於中國西安的NAND生產基地也會多蓋一條生產線，但投資金額和時間表還未定。

BusinessKorea、Investor 12日報導，三星電子位於南韓平澤(Pyeongtaek)的工廠，號稱是全球最大的半導體工廠。消息傳出，平澤廠預定七月啟用，將生產第四代3D NAND。

IHS Markit估計，三星NAND的總產能(平面+3D)，約為每月晶圓投片量45萬組，其中一半以上都是3D NAND。據傳平澤廠將專門量產3D NAND，等產能全開時，NAND產量將大增，能爭搶更多市佔。

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