Broadcom與Tower Semiconductor合作，推出下世代行動通訊應用標準
美商博通 (Broadcom)和以色列高塔半導體 (Tower Semiconductor) 合作推出下世代行動通訊應用標準
全球通訊晶片巨頭博通 (Broadcom) 與以色列高塔半導體 (Tower Semiconductor) 宣布合作以 300 mm RFSOI 製程技術生產 Wi-Fi 7 標準通訊的射頻前端模組 (RF-FEM)，所生產出來的晶片具高效能、低功耗之特色，適用於需要快速處理射頻訊號之應用例如光纖設備、無線數據機和其他通訊系統等。
與非基於 SOI (Silicon-on-Insulator，絕緣層上覆矽) 的技術相比，此解決方案在單一 RFSOI 晶片上開發了多種整合 Wi-Fi FEM 裝置，儘管支援新功能和新頻段所需的複雜性很高，但新的整合製程將功率放大器整合至同一晶片而非獨立晶片上，縮減晶片面積且允許在小尺寸上實現高功率，並為行動裝置使用無線連接 Wi-Fi 網路提供了新標準(資料來源：經濟部國際貿易署)
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