MoneyDJ新聞 2025-01-08 13:20:14 記者 郭妍希 報導
輝達(Nvidia Corp.)執行長黃仁勳(Jensen Huang)直指，三星電子(Samsung Electronics)必須「重新進行設計」(has to engineer a new design)才能通過輝達對其高寬頻記憶體(HBM)的驗證程序。
南韓《中央日報》、日經報導，黃仁勳7日在拉斯維加斯消費電子展(CES)舉行的記者會上表示，「三星必須重新設計，但他們可以做到、且工作速度飛快。」「韓國人非常沒耐心，這是好事。輝達使用的第一款HBM其實是三星創造的。他們勢必能重振旗鼓。」
被問到輝達新推的RTX50系列GPU為何選用美光(Micron)的GDDR7繪圖記憶體、而不是三星或SK海力士(SK Hynix)的產品時，黃仁勳回應表示，「我不太確定原因。這大概不重要。」
三星的HBM持續面臨品管問題，SK海力士一直是輝達第三代高頻寬記憶體「HBM3」的獨家供應商。
不過，黃仁勳7日強調，三星「毫無疑問」(no doubt)能成功產出HBM。他說，「我對此有信心，就如同我知道明天是禮拜三。」
南韓媒體Daily Korea最近報導，三星透露，2024年「幾乎不可能」向輝達供應8層與12層堆疊HBM3E，因為晶片效能無法達到輝達要求。不過，2025年景況看來樂觀。
據傳，三星遲遲無法取得輝達信任、進而爭取到訂單，是因為對手SK海力士率先改用批量回流模制底部填充(mass reflow molded underfill；MR-MUF)等優秀技術，把跨入門檻拉得非常高。
(圖片來源：shutterstock)
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