FeRAM

隨著消費性與IA應用的出現，系統產品對於記憶體愈來愈要求小型化、高密度化、低價化與客製化，因此有愈來愈多追求不同市場區隔的新記憶體技術陸續推出，包含FeRAM（Ferro electric RAM）、MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）與OUM（Ovonics Unified Memory）等。

FeRAM其構造與DRAM相類似，但其強誘電體材料由於形成不易，因此，在大容量與低價化的障礙都比DRAM高，因此，FeRAM在目前的發展上並不以取代DRAM和Flash，由於FeRAM具有低讀寫電壓、較快的讀寫速度(<<100ns)及較少的製程步驟，可以取代目前最常用的EEPROMs(Electrical Erasable Programmable Read Only Memories)。Rohm、NEC、Toshiba、Fujitsu、Hitachi、Motorola/Matsushita、Infieneion、TI為未前主要生產研究產商。