氧氣施體

氧氣施體

以拉晶法育成的矽結晶，在結晶成長之後的冷卻中，通過攝氏450度溫度域附近，或以攝氏450度前後之熱處理，所產生起因於氧氣之施體。此一施體的授予將改變結晶的電阻率。