全新光電科技股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

全新光電科技股份有限公司成立於1996年11月26日，總部位於桃園市平鎮區，主要以MOCVD技術生產砷化鎵(GaAs)磊晶，為全球前三大製造商之一，2002年1月24日上市。

2.營業項目與產品結構

公司以MOCVD為核心技術生產Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體磊晶片，主要產品為微波通訊產品及光電子產品，Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備高工作頻率、低雜訊、抗天然輻射、能源使用率佳、能階帶可調整及電子移動速度快等優勢，為無線通訊、光纖通訊、光學感測、太陽能電池及光顯示之關鍵組件。

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

(1)微電子(Microelectronics)
主要應用於無線通訊RF領域，提供GaAs與GaN磊晶片，其中GaAs主要應用為手機、通訊與基礎建設，GaN主要應用於通訊與基礎建設、國防領域。產品包含HBT(異質接面雙載子電晶體)、PHEMT(假晶高速電子移動電晶體)、BiHEMT(異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體)、GaN GaN。

(2)光電子(Photonics)：
光電子元件係利用半導體光能及電能可相互轉換之特性，光纖具備通信容量大、傳輸距離遠、抗電磁干擾、傳輸損耗低、信號串擾小、重量輕、保密性佳等優點，主要應用在電信基地台、光纖網路及數據中心(Data Center)。產品包含Photo Detector(PD)、Laser Diode(LD)、VCSEL。

2.重要原物料

公司產品主要原物料包含基板、特氣及有機金屬等。

3.主要生產據點

公司廠房位於桃園平鎮。

(三)市場銷售及競爭

1.銷售狀況

2023年銷售區域比重為台灣39%、美國39%、其他22%。

公司主要客群為砷化鎵晶圓代工廠及IDM廠，客戶包含穩懋、Skyworks、Broadcom、Qorvo、宏捷科等。

2.國內外競爭廠商

公司主要產品為HBT磊晶片，競爭者包含IQE、Hitachi Cable等；光電子產品競爭者包含IQE、聯亞等。