HBT

用GaAs（砷化鉀）生產的微波元件結構的一種，是目前較新的技術。HBT的射極、基極、集極排列方式呈垂直排列，通道內的電子流呈垂直方向，由其結構上的優勢，造成甚高的功率密度。也就是，在同樣的輸出功率下，HBT的die size可以較小，再加上僅需單一電壓來源即可運作。

由於HBT具有線性效果佳及功率效益（power efficiency）好的特性，因而成為行動電話及個人通訊服務的關鍵性元件技術。