Crucible

係指在晶圓成長結晶之際，將原料加以熔解，保溫，促使成長結晶的容器。就容器材質而言，不希望融液與晶圓發生反應，雜物含有量應盡量越少越好。

目前，矽晶成長使用石英玻璃坩堝；就化合物半導體用而言，其形狀雖以單純一層者為主，但有關連續補充CZ法或二層坩堝法則使用二層坩堝，具有內層坩堝和外層坩堝之二層構造，內層坩堝之側面開洞，由外層坩堝供給原料，結晶由內層坩堝上拉。此外，石英玻璃因在矽融點附近之高溫會變形，其外側亦使用保持用墨鉛坩堝。