MoneyDJ新聞 2022-06-13 08:15:20 記者 蔡承啟 報導
日本半導體IDM大廠羅姆(Rohm)將砸1,500億日圓投資，大幅增產碳化矽(SiC)功率半導體、產能將擴增至現行的6倍水準，拼當全球市佔龍頭。
日本媒體Newswitch 10日報導，Rohm社長松本功表示，目標在2025年度之前將SiC功率半導體營收提高至1,000億日圓以上水準，將投資約1,500億日圓、把SiC功率半導體產能擴增至2021年度的約6倍水準。
松本功表示，「目標在2025年之前、奪下SiC功率半導體全球市佔龍頭位置」。
Rohm的SiC功率半導體利用筑後工廠(福岡縣筑後市)和宮崎工廠(宮崎市)的6吋晶圓產線生產，而筑後工廠的新廠房將自12月開始進行量產、產能將逐步擴增，且也計劃在2025年之前利用8吋晶圓產線進行量產。
據報導，在2022-2025年度期間、Rohm的SiC功率半導體累計訂單將達約8,400億日圓，今後Rohm將持續進行設備投資、計畫在2030年度將產能擴增至2021年度的25倍水準。
日廠搶攻EV用SiC功率半導體
日媒去年12月3日報導，因看好來自電動車(EV)的需求將擴大，也讓東芝(Toshiba)等日本廠商開始相繼增產節能性能提升的EV用次世代半導體。各家日廠增產的對象為用來供應\控制電力的「功率半導體」產品，不過使用的材料不是現行主流的矽(Si)、而是採用了SiC。SiC功率半導體使用於EV逆變器上的話，耗電力可縮減5-8%、可提升續航距離，目前特斯拉(Tesla)和中國車廠已開始在部分車款上使用SiC功率半導體。
報導指出，因看好來自EV的需求有望呈現急速擴大，東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba Electronic Devices & Storage)」計劃在2023年度將旗下姬路半導體工廠的SiC功率半導體產量擴增至2020年度的3倍、之後計劃在2025年度進一步擴增至10倍，目標最遲在2030年度取得全球1成以上市佔率。
另外，富士電機考慮將SiC功率半導體開始生產的時間自原先計劃(2025年)提前半年到1年。
SiC功率半導體需求衝、2030年估跳增2.8倍
日本研調機構富士經濟(Fuji Keizai)去年6月10日公布調查報告指出，自2021年以後，在汽車/電子設備需求加持下，預估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現增長，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。
其中，因汽車/電子設備需求加持，來自中國、北美、歐洲的需求揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
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