力晶於1994年十二月創立於新竹科學園區，早期專注於動態隨機存取記憶體之生產，逐步擴及及晶圓代工及Flash生產，並以大陸終端客戶為主要營收來源。公司自2010年9月14日起，減資暨更名為「力晶科技股份有限公司」，代碼簡稱：5346力晶。2012年12月11日因淨值轉為負數，自櫃買中心下櫃，股票停止買賣。
公司在生產動態隨機存取記憶體製程技術以三菱電機既有的技術為基礎，與日本的DRAM大廠Elpida 締結策略聯盟，共同研發尖端DRAM 技術。公司也和Renesas等國際大廠合作，開發生產高容量快閃記憶體（Data Flash），以期成為國內最大之全方位記憶體公司。在邏輯代工製程技術方面，自日本三菱公司引進0.25 微米／0.18 微米／0.15 微米邏輯代工製程技術，並建立相關製程的設計資料庫及IP，以及開發Mixed-mode 、CIS等產品，以協助客戶順利量產新世代產品。代工業務主要為轉投資的8吋廠鉅晶電子。公司成立初始即鎖定日本三菱為策略合作夥伴，不斷引進日方技術提升製程能力，已成為國內最大動態隨機存取記憶體廠商。
力晶2008年第二季將產能全數轉換為70nm製程，65nm製程於第三季進入量產。
2009年獲金士頓及力成金援1.25億美元，以等值瑞晶股票作扺押，以解決財務缺口壓力。
2009年主流製程為65 奈米製程，雖持續進行製程微縮，但在2010年，仍無法負擔製程轉換的成本，因此生產成本與競爭對手差距仍大。
2009年底淨值約3元。
力晶2010/4/12宣布減資38%，即每千股銷除380股，以彌補累積虧損，減資後實收資本額為新台幣560億8960萬4900元，分為56億8,96萬490股，每股新台幣10元。
於2010年H2全部轉進63奈米，每片產出增加25%；2010年Q4導入45奈米，2011年H1量產出貨，資金投入約120-150億元。
因爾必達與瑞晶45奈米製程順利，提前採購45奈米機台，而調升2010年資本支出，資本支出從原先的127億元提升至174.88億元，增幅達37％，其中45奈米設備佔100億元以上，2011年到位的浸潤式機台也從2台提升到4-5台。
2011年1月，2Gb DDR3 DRAM 40奈米製程投片量產，預計年中全數轉進40奈米，於下半年100%轉進，並計畫於第四季投入30奈米技術。公司自力研發的40奈米快閃記憶體也開始出貨，以手機用低電壓NAND Flash領域為主。公司接獲任天堂的3DS利基型記憶體代工訂單。
2011年4月，與Elpida達成的DRAM產銷新協議，使公司的專利授權、技轉費用降低，並無償取得Mobile DRAM技術及銷售權，結合自行開發的NAND快閃記憶體技術，將針對高速成長的行動應用（Mobile Applications）新市場，提供完整的記憶體產品組合。
力晶積極轉型為晶圓代工廠，以及加重行動型記憶體、快閃記憶體及代工業務營收，降低標準DRAM。
截至2011年11月產品比重方面，晶圓代工佔60%、DRAM佔30%、Nand Flash佔10%。晶圓代工領域包括LCD驅動IC、CMOS Sensor、類比IC、電源管理IC。
P3廠成為Flash與DRAM共同生產的12吋廠，月產能約11萬片。自2012年1月1日起，NAND Flash的投片量將正式超越DRAM，且DRAM投片產能將永遠性的降低至20%以下，約當2萬片。
DRAM製程方面，2012年將全部由40奈米轉換至30奈米，且均生產4G產品。
產能配置方面，至2012年1月晶圓代工每月投片量拉升至6萬片，標準型DRAM投片約2萬片，Nand Flash約6000千片。
2012年資本支出約20億元至30億元。
2013年四月，力晶P3廠約月產能2萬片12吋廠設備及生產線由金士頓標下，並由力晶代工。
2014年6月，轉投資LCD驅動IC廠瑞力被Synaptics併購，力晶出售所有持股後，預期獲利約36億元，且與Synaptics達成協議維持合作關係，Synaptics在整合LCD驅動IC及觸控IC的單晶片，將交由力晶生產。
另外，公司規劃每股淨值回升至10以上，且還清銀行負債後，再重新掛牌上市。
