pHEMT
人氣(22965)
pHEMT是用GaAs(砷化鉀)生產的微波元件結構的一種。pHEMT與HBT同樣可使用在高線度,高功效的無線電射頻裝置,但pHEMT的RF若要達到與HBT相同的功效則需較大尺寸的晶片,雖然pHEMT要有相對的高單體成本,但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢,因為HBT需要極高的開機電壓,所以無法在低於2.5V的狀態下繼續操作或維持高效能,此外,pHEMT元件在1.5V狀態下能有高效能的表現,對講究待機時間長的行動產品而言,pHEMT較具優勢。另外,pHEMT亦具有低雜訊的特點,因此在20GHz以上的高頻微波通訊上,pHEMT有一定的市場地位。
|
|
|
|