鐵電隨機存取記憶體FRAM
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鐵電隨機存取記憶體
(Ferroelectric RAM，縮寫為FeRAM或FRAM)，是一種隨機存取存儲器技術，採用鐵電質膜取代原有的介電質，做為電容器以儲存資料。FRAM結合ROM和RAM之特性，在停電環境下，FRAM所儲存的資料仍持續保存，適用於長時間的運作及資料採集，包括醫療電子、金融、穿戴式裝置、物聯網等市場，現已應用於電子儀表、POS、售票機、KIOSK等。
與其他非揮發性記憶體相比，FRAM的運作功耗低，為EEPROM的1%，且讀寫速度表現優異、耐用性高、壽命為EEPROM及Flash記憶體的1000萬倍。另外，FRAM利用極化特性以保存資料，當元件受到放射干擾時，記憶體中的資料仍可完整保存，除高度安全外，具有防窺、防盜的效用。
FRAM與其他非揮發性記憶體的比較表
資料來源：Fujitsu
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