FET

為一電至控制元件，是電晶體的一種。利用改變加至控制閘極上之電壓來改變電流流通通道(channel)的大小，藉以改變流通於通道中的載體量。這種載體量的控制方式與真空管利用柵極電壓來控制屏極電流之方式頗為相似。FET有兩種主要不同的形式：接面常效電晶體(JFET)和金屬化物半導體場效電晶體(MOSFET)。由於場效電晶體只用一種載體作電流之傳導，亦即只有電子或是電洞，因此屬於單極性電晶體。

FET的種類有兩種，一為 n 基底型，另一為 p 基底型。 n 基底型是利用 n 型半導體作為基底，p 基底型則是利用 p 型半導體作為基底。在n型通道場電晶體中流的是電子流，在p型通道場效電晶體中流的是電洞流。

FET多用於放大器，示波器和開關，因為它具有極高的輸入阻抗特性，使其特別適用於極小訊號的放大。