IGZO面板

IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)為氧化銦鎵鋅的縮寫，是一種薄膜電晶體技術，在TFT-LCD主動層之上，打上一層金屬氧化物。IGZO技術由夏普(Sharp)掌握，是與日本半導體能源研究所共同開發的產品。

IGZO的載子移動率大約為10cm2/Vs， 臨界電壓飄移幾乎一致。IGZO技術可提高面板性能、降低成本，但IGZO技術對光、水以及氧都相當敏感，長時間 使用之可靠度與穩定性，亦須增強。

IGZO與非晶矽相比，IGZO能夠縮小電晶體尺寸，可提高液晶面板畫素的開口率，較易實現高精細化，解析度高出一倍，電子遷移率快十倍，將簡單的外部電路整合至面板之中， 使移動裝置更輕薄，耗電量也降至2/3。

IGZO面板結構

 

隨智慧型手機與平板電腦等應用市場興起，250ppi以上的面板需求增加，面板廠投入LTPS TFT生產，但LTPS TFT製程較複雜及良率低，面板廠則轉投入IGZO面板。

另一方面，相較於OLED，面板功耗與OLED接近，成本較低，厚度比OLED高25%，解析度達Full HD級別程度。