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2月營收衰退一成：2月DRAM 1Gb現貨市場ett顆粒、以及合約市場報價之月均價分別為1.92美元（-2.6％MoM）、1.88美元（+5.3％MoM），反應中國農曆新年備貨需求，合約市場價格自1月下旬連續二期小幅向上開出，導致2月合約均價較1月上揚5.3％。然而DRAM廠營收反應歲休、工作天數下滑，以及匯率升值等因素，2月各家廠商營收普遍下滑一成，其中力晶營收48.5億（-10.7％MoM，-47.3％YoY）、茂德25.3億（-9.9％MoM，-51.5％YoY）、南科30.9億（-6.7％MoM，-44％YoY）、華亞科29.8億（+8.8％MoM，-23.3％YoY）。
�� 3月價格展望小跌：3月上旬合約價反應新年需求陸續退潮而向下開出，目前1Gb顆粒報價為1.81美元（-3.7％），展望3月下旬因無特別事件刺激需求而仍有向下開出壓力，3月單月均價跌幅推估在5％上下；現貨價則在1.7美元∼1.8美元區間整理。以3月價格以及DRAM廠對外表示位元成長率推估3月DRAM廠營收表現為小幅成長，惟部分廠商因2月遞延出貨優於一成成長力道。
�� 近期產業事件對供需影響輕微：3/3南科宣佈與美光結盟，共同合作50nm以DRAM研發生產，由trench轉換跑道至stack，研究處評估此事件對全球DRAM產業影響程度僅在1％內（見3/4「Micron與南科結盟事件評析」快訊），影響程度有限。另外3/13傳力晶、旺宏涉內線交易案，此類非經濟因素對DRAM產業供需無實質影響，惟偵辦過程將對公司形象及股價有十分負面影響。
�� 投資建議：研究處計算台系DRAM廠營收年成長率於4Q07達到-52％（全球DRAM廠亦為-40％以上），1Q08將維持-50％歷史新低，然而2Q08開始負乖離將逐漸收斂。依過去經驗顯示當營收年成長率負乖離開始收斂時DRAM廠虧損將快速止跌。我們認為2Q08 DRAM價格可觸底反彈、3Q08可進入損益兩平。惟目前考量1Q持續大幅虧損之季報利空，以及短線力晶事件消息面不確定因素，我們維持DRAM族群中立投資建議。
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