MoneyDJ新聞 2020-01-03 14:29:42 記者 郭妍希 報導
三星電子(Samsung Electronics)已成功開發出業界首款3奈米GAA製程技術，副會長李在鎔(Lee Jae-yong)週四(1月2日)訪問了華城(Hwaseong)晶片廠的半導體研發中心，討論相關的商業化議題。
BusinessKorea、韓國先驅報(Korea Herald)報導，三星電子新開發的3奈米GAA製程技術，有望協助公司達成「2030年半導體願景」(即於2030年在系統半導體、記憶體晶片領域成為業界領導者)。GAA是當前FinFET技術的升級版，可讓晶片商進一步縮小微晶片體積。
李在鎔2日訪問了華城晶片廠，聽取3奈米製程技術的研發簡報，並跟裝置解決方案(device solutions, DS)事業群的主管討論次世代半導體策略方針。
跟5奈米相較，採用3奈米GAA製程技術的晶片尺寸小了35%、電力消耗量降低50%，但運算效能卻能拉高30%。三星計畫在2022年量產3奈米晶片。
三星去(2019)年發布了133兆韓圜(相當於1,118.5億美元)的投資計劃，目標是在2030年成為全球頂尖的系統單晶片(SoC)製造商。
前五大半導體商支出佔比衝歷史高
科技市調機構IC Insights 2019年11月5日發表研究報告指出，三星、英特爾(Intel)、台積電(2330)、海力士(SK Hynix)及美光(Micron)這五家資本支出在半導體業名列前茅的廠商，2019年對整體產業的支出佔比上看68%，超越之前在2013年、2018年的歷史高峰。
三星、台積電2019年一開始的支出雖相對偏低，但Q2就開始溫和擴張，兩家公司也都在Q3財報電話會議上宣布，Q4資本支出將拉升至歷史新高水位。其中，台積電Q4資本支出預定會季增64%至51.47億美元、創單季歷史新高，較前次2014年Q1的歷史紀錄(37.99億美元)多出36%。
三星也宣布，2019年Q4半導體支出將刷新單季歷史高，多數資本支出將用來打造記憶體基礎建設、因應中長期需求。其Q4資本支出預計會季增81%至79億美元，較2017年Q4的前次歷史高(68.77億美元)多出15%。
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