砷化鎵族群再添新兵！F-IET預定7/24上櫃
精實新聞 2013-06-06 18:33:01 記者 羅毓嘉 報導 擬自美國回台上櫃的磊晶廠F-IET(英特磊, 4971)總經理高永中指出，F-IET鎖定高端的高頻微波、軍事工業、高頻光纖等應用的磊晶片材料市場，並透過全球一線客戶守穩訂單，持續卡位高頻無線通訊與雲端時代的相關商機。F-IET預定於7月24日掛牌上櫃，屆時也將為國內上櫃砷化鎵、III-V族化合物族群再添新兵。
F-IET成立於1999年，目前股本為2.59億元，公司營運主體設立於美國德州，採用MBE(分子束磊晶)技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，產品應用範圍包括無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商業用途，以及在太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品上。
F-IET總經理高永中指出，儘管F-IET產品當中有較為台灣資本市場所知的砷化鎵，不過佔營收比重僅不到一半，F-IET實際上是「III-V族化合物磊晶供應商」、而非單純的砷化鎵磊晶廠。F-IET客戶涵蓋美商安捷倫(Agilent)、射頻元件廠Skyworks、TriQuint，代工廠穩懋(3105)，乃至韓廠Samsung、日本光電元件廠住友(Sumitomo)與三菱(Mistubishi)等，同時也與美國太空總署NASA合作，供應太空應用等級的銻化鎵磊晶。
觀察2012年F-IET的產品組合，砷化鎵磊晶佔比約39.6%，磷化銦磊晶佔比40.3%，銻化鎵等其他磊晶合計佔4.5%，其他勞務佔約15.6%。
值得注意的是，儘管F-IET在III-V族磊晶產業耕耘多時，卻是在一開始即鎖定砷化鎵pHEMT(假晶高電子遷移電晶體)磊晶、而非HBT(異質接面雙級電晶體)，等於放棄了60%的砷化鎵市場；對此高永中說明，F-IET因營運規模較小，策略上採取鎖定高端產品的模式，而2012年也創下營收5.58億元、純益率卻高達21.6%，EPS 4.53元的好成績。
展望今年營運狀況，高永中指出，預期今年度營收估較2012年小幅成長，不過因為今年毛利率較低的砷化鎵比重會較去年上升，因產品組合改變，預估純益率將較去年的21.6%微幅下滑；不過高永中強調，長期來看，F-IET的磷化銦、銻化鎵等高端產品的比重合計仍會往超過50%目標邁進。
目前F-IET月產能約為1萬片磊晶圓，今年F-IET預計要投入約200-300萬的設備資本支出，進行Fab 2與3的基礎設施改善、乃至機台改造，透過去瓶頸化工作，預期可讓產能提昇約30%。
F-IET預定於7月24日掛牌上櫃，近期將辦理4000張規模的現金增資，屆時也將為國內上櫃砷化鎵、III-V族化合物族群再添新兵。
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