長江存儲今年拚超車三星美光？傳年中試產192層NAND
MoneyDJ新聞 2021-01-12 12:16:46 記者 郭妍希 報導  中國記憶體製造大廠長江存儲(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)，傳出今(20201)年產出將倍增，並計畫投產先進晶片、槓上三星電子(Samsung Electronics Co.)等領導業者。
日經亞洲評論12日引述未具名消息人士報導，長江存儲計畫在2021年下半年，將記憶體晶片的月產量倍增至100,000片矽晶圓，約占全球產出的7%。相較之下，全球最大NAND型快閃記憶體製造商三星的月產出為480,000片矽晶圓，美國最大記憶體廠商美光(Micron Technology, Inc.)則月產180,000片矽晶圓。
除了擴產現有晶片之外，長江存儲也打算加快科技發展進程，消息透露，長江存儲最快2021年中就會試產第一批192層3D NAND快閃記憶體，而目前該公司生產的是64層與128層的晶片。
雖然計畫可能拖延至2021年下半年，也需要時間確保量產品質，但這項時間表對於中國本土晶片業者而言仍是一大進步。三星、美光仍在努力開發176層3D NAND，能夠量產的最先進版本則是128層晶片。
長江存儲計畫中的192層晶片，定義上確實比三星、美光還先進，但市場觀察人士依舊抱持謹慎態度，認為應看看長江存儲產品的效能、品質能否超越領導業者。長江存儲是在2020年4月宣布開發完成、並於同底量產128層NAND。消息顯示，目前其良率約70%，依舊有改善空間。長江存儲的客戶包括聯想集團及華為。
美光：中國對手短期內難撼動市場
美光執行副總裁Manish Bhatia去年10月接受媒體訪問時曾表示，即便北京當局想盡辦法切斷對外國晶片供應商的依賴，但相信中國競爭對手短期內應該難以挑戰該公司的地位。
他說，新進的中國廠商就算「口袋很深」，也得花上一些時間才能撼動全球記憶體晶片市場，美光擁有40多年的建廠、打造科技藍圖、拉高良率、降低成本的經驗，難以迅速被複製。
科技市調機構IC Insights 1月6日則發表研究報告指出，即使長江存儲(YMTC)、長鑫存儲(CXMT)努力打造新的IC生產線，到了2025年，中國還是會有高於50%的IC是由外國廠商(例如SK Hynix、三星、台積電、聯電)的晶圓代工廠生產。
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