MoneyDJ新聞 2018-07-04 08:17:09 記者 蔡承啟 報導
昭和電工(Showa Denko K.K.)3日發布新聞稿宣布，將對電源控制晶片材料「碳化矽(SiC)外延晶圓(Epitaxial Wafer)」祭出加碼增產措施、將SiC晶圓產能擴增至現行的1.8倍。
昭和電工表示，該公司之前分別於2017年9月、2018年1月宣布增產SiC晶圓，不過因SiC製電源控制晶片市場急速成長、為了因應來自顧客端旺盛的需求，因此決定對SiC晶圓進行第3度的增產投資。
昭和電工SiC晶圓月產能甫於今年(2018年)4月從3,000片提高至5,000片(第1次增產)，且將在今年9月進一步提高至7,000片(第2次增產)，而進行第3度增產投資後，將在2019年2月擴增至9,000片的水準、達現行(5,000片)的1.8倍。
昭和電工增產的對象為SiC外延晶圓中的高品質產品「High-Grade Epitaxial(HGE)」。HGE的缺陷密度壓低至0.1個/cm2以下水準，因獲得高度評價，提振其成長幅度高於整體市場表現。
和現行主流的矽(Si)製電源控制晶片相比，SiC製電源控制晶片擁有更優異的耐高溫、耐電壓和大電流特性。而除了原有的電源用途之外，SiC電源控制晶片也加快應用至車用用途。除鐵道車輛的逆變器(inverter)模組之外，在需求急速成長的電動車(EV)市場上，車用充電器及急速充電站也持續轉用SiC電源控制晶片。
日刊工業新聞於2017年9月15日報導指出，昭和電工目標是在2025年將全球SiC晶圓市佔率自現行的2成擴大至3成的水準。據報導，2016年全球SiC外延晶圓市場規模約100億日圓、2025年預估將擴大至600億日圓。
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)公布調查報告指出，今後民生機器、汽車/電子設備、產業領域將成為提振電源控制晶片需求的主要動力，其中在汽車/電子設備領域上，隨著自動駕駛技術進化、期待需求將增加，因此預估2030年全球電源控制晶片市場規模將擴增至4兆6,798億日圓、將較2017年大增72.1%。
其中，2030年矽(Si)製電源控制晶片市場規模預估將擴增至4兆1,778億日圓、將較2017年大增55.3%；碳化矽(SiC)產品在汽車/電子設備需求看俏下，預估2030年全球市場規模將增至2,270億日圓、將達2017年的8.3倍；氮化鎵(GaN)產品也在車用需求看增下，2030年市場規模預估為1,300億日圓、將達2017年的72.2倍。
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