急起直追！Hynix無錫廠可望生產NAND Flash

精實新聞 2012-03-14 00:18:23 記者 金正平 報導

平板電腦與智慧型手機大賣帶動NAND型快閃記憶體(NAND Flash)的龐大需求，為了趁勢縮小與記憶體產業龍頭三星電子(Samsung Electronics)間的差距，南韓記憶體大廠Hynix Semiconductor Inc.將急起直追。韓國先鋒報(Korea Herald)13日報導，Hynix執行長O.C. Kwon 13日在記者會上指出，今年會把重心放在NAND型快閃記憶體的計畫上，將儘可能以最快的速度投入最多的資金來增加產量。

Kwon表示，Hynix在國外僅有無錫一個廠區，該廠可生產NAND型快閃記憶體。Hynix先前曾表示將擴大事業範疇，增加NAND型快閃記憶體相關產品(如eNAND)的產能，其中12吋晶圓廠月產能將自13萬片升至17萬片。Kwon相信Hynix在記憶體市場極有成長的機會，因該公司在技術、產品品質與價格方面均較有競爭優勢。不過未來Hynix將朝非記憶體領域發展，長期而言系統LSI是最可能的走向。

一直以來Hynix無錫廠皆生產DRAM，去年度Hynix在全球DRAM市場的市佔率約為20%，而NAND型快閃記憶體的市佔則為12%。

今年三星也把系統LSI作為成長引擎。系統LSI在半導體產業當中所佔比例超過80%。