Rapidus宣布設立半導體後段製程研發據點，預計2026年正式啟用

Rapidus宣布設立半導體後段製程研發據點

據媒體報導，致力量產先進製程半導體的Rapidus於本(2024)年10月3日宣布設立後段封裝製程研發據點，預計2026年正式啟用。Rapidus社長表示，未來將開發將多個不同類型半導體晶片同時堆壘在一個基板上之技術，倘能夠實現，晶片電力消耗將可降至十分之一。

Rapidus將向位在其北海道千歲市廠旁之Seiko Epson液晶廠房租用一個層樓，做為「Rapidus Chiplet Solution(RCS)」研發之無塵室等設施。

據悉日本經濟產業省將撥款535億日圓補助部分半導體後段製程研發相關費用，但Rapidus尚未公布其投資金額。

Rapidus之RCS研發據點將負責開發集成多種不同小晶片(chiplet)以及可垂直堆疊晶片的3D封裝等技術，期待生產效率較傳統方式更高，並改善人工智慧(AI)用半導體之數據傳輸效率。

目前日本在半導體設備之全球市占率達30%，半導體材料全球市占率50%。考量未來在半導體後段製程技術開發中，隨著半導體材料的大型化、熱處理及電力效率改善等趨勢，都需要與材料及設備製造商合作。

Rapidus日前已與美國IBM、德國Fraunhofer-Gesellschaft及新加坡研究機構合作，進行半導體技術開發。Rapidus希望未來能夠將以往在海外進行的研究成果回流至國內，並對RCS未來發展寄予厚望。(資料來源：經濟部國際貿易署)