摩根士丹利投資銀行分析中國管制鎵鍺出口將影響歐洲重要半導體商
根據法媒Usine Nouvelle本(7)月5日報導,中國於2023年7月3日宣布,自同年8月1日起管制鎵鍺出口,該等關鍵金屬用於生產特定半導體、平板顯示器、光伏面板與電池,目前尚未得知限制範圍是否僅針對材料,抑或涉及價值鏈下游之基板、元件或電子設備,恐衝擊全球電子產業價值鏈,包括從半導體基板至電信、汽車、軍事或太空應用。摩根士丹利指出,包括法商在內之Soitec、STMicroelectronics、Valeo、Airbus及Thales等歐商將受影響。
媒體指出,中國此舉形同開啟全球晶片戰爭之新篇章,似為對美、荷、日等國對其施以先進半導體技術出口限制之報復。摩根士丹利數據顯示,中國掌控全球90%以上之鎵,因此限制出口之後果相對嚴重。該金屬主要用於製造鎵砷化物(AsGa)、銦鎵氮化物(InGaN)、銦鎵磷化物(InGaP)與氮化鎵(GaN)等特殊半導體材料,應用於高頻無線電電路(如5G、衛星通信或雷達)、光子元件(如LED、激光二極管或光探測器),以及高性能電子元件。另亦廣泛應用於平板顯示器、光伏面板與人工智慧處理器之散熱器。
媒體推測,中國選擇鎵金屬作為地緣戰略武器絕非偶然,因其在國防、電信與太空領域之重要性日益增加,關乎產業主權。鎵氮化物具有優於其他半導體化合物之效能而引起特別關注,目前雖僅限於電信、太空、國防或可穿戴產品等市場,但隨5G毫米波(mmWave)部署、汽車電動化、激光雷達整合及人工智慧普及,應用前景廣闊。根據Yole Developpement預估,無線電頻率電路市場將自2022年13億美元成長至2028年27億美元,電子元件則從2021年1.26億美元增加至2027年20億美元。
摩根士丹利之分析報告中提到4家可能受影響之歐洲半導體企業,分別為Soitec、Infineon Technologies、STMicroelectronics及Aixtron:
(一)法國Soitec在高性能電子基板領域有所涉足,將鎵氮化物開發視為矽絕緣層基板之外之多元化戰略;該商運用SmartCut技術製造高附加值基板(Smart GaN)提升元件性能,惟仍處於起步階段,此前收購比利時商EpiGaN予以推動。
(二)德國Infineon Technologies為全球電子功率元件之領先企業,將鎵氮化物開發作為產品組合之重要元素,與傳統矽材料與碳化矽並列。該商認為電動車、再生能源、數據中心及可穿戴產品等領域具有高度商機,透過收購美商GaN Systems強化戰略實力。
(三)至於法義合資之STMicroelectronics則同時在電子功率元件與射頻電路方面研究鎵氮化物。該商為加快進展,於2020年收購法國公司Exagan。
(四)鎵氮化物在前述歐商之業務中只占極小部分,但對德國半導體設備供應商Aixtron卻不同。A商生產專用於製造鎵金屬化合物半導體之設備,對中國出口量很大。因此,摩根士丹利警告,中國管控鎵出口之舉,可能引發德國加強管控A商對中出口設備。媒體指出,過去A商一度接近被中國投資基金收購,後經美國遊說德國阻止交易。
其他可能受影響之歐洲廠商,尚包括NXP(基礎設施射頻電路)、AMS Osram(LED)、Bosch(汽車電力電子元件與微機電系統)、Nokia與Ericsson(電信)、Airbus與Thales(太空與國防),以及Valeo(汽車自駕激光雷達)等。(資料來源:經濟部國貿局)