MoneyDJ新聞 2014-10-06 10:47:45 記者 賴宏昌 報導
三星電子(Samsung Electronics Co.)6日舉行南韓平澤(Pyeongtaek)Godeok工業園區新半導體廠建廠備忘錄(MOU)簽約儀式。三星表示，京畿道省以及相關市政府代表同意提供必要的基礎設施並就新廠的建設、營運相關事宜與三星密切合作。
三星電子執行長兼副董事長權五鉉(Kwon Oh-hyun；見圖)在出席MOU簽約儀式時表示，三星衷心感謝京畿道、平澤市的全力支持。耗資15.6兆韓圜、建築面積達79萬平方米的平澤廠將在2015年上半年動工、預計2017年下半年即可開始營運。
彭博社報導，平澤廠將生產記憶體、處理器晶片，總投資金額相當於150億美元。三星電子預計在7日公佈2014年第3季初估財報。
Thomson Reuters 6日報導，三星表示，平澤廠預估將使公司整體晶片產能增加10-12%。42位分析師普遍預期三星電子2014年第3季營益將達5.6兆韓圜、創2011年第4季以來新低。
韓聯社報導，平澤位於首爾南方約70公里處，與器興(Giheung)、華城(Hwaseong)同樣位於京畿道。三星電子表示，平澤廠一旦完工，全球最尖端的半導體集群也將就此誕生。三星2013年半導體投資金額達12.6兆韓圜。除了南韓廠以外，三星在美國德州以及中國也擁有半導體廠。
根據IHS Technology 8月公佈的統計數據，三星電子第2季系統半導體銷售額季減9.6%至23億美元、市佔率下滑0.7個百分點至3.9%。另一方面，英特爾(Intel Corp.)銷售額季增8.8%至118億美元、市佔率擴增至20%。高通(Qualcomm Inc.)銷售額季增16.8%、市佔率上揚0.7個百分點至8.3%。德州儀器銷售額季增10.6%、市佔率達5%。權五鉉4月曾對員工表示，三星必須在系統LSI領域(特別是高階應用處理器)多加把勁，如此才能在客戶面前建立起半導體領導廠商的形象。
三星電子5月9日宣布，中國西安記憶體晶片製造廠正式啟用、旗下先進NAND型快閃記憶體「3D V-NAND」將在該廠投產。
以色列財政經濟部9月22日批准英特爾(Intel Corp.)今年5月所提出的60億美元晶圓廠技術升級投資案。報導指出，英特爾將在未來5年內取得3億美元的政府補助並且在10年內享有5%的企業優惠稅率。英特爾位於以色列南部Kiryat Gat的晶圓廠目前已僱用2,500人、預估到2023年將再增聘將近1千人。
三星電子今年迄今股價跌幅超過16%，截至台北時間6日上午10時10分為止上漲0.26%、報1,144,000韓圜；開盤迄今最低點(1,138,000韓圜)創2012年7月18日以來新低。
國際半導體設備材料協會(SEMI)9月18日公佈，2014年8月北美半導體設備製造商接單出貨比(Book-to-Bill ratio)初估為1.04、連續第11個月維持在1或更高水準，創2009年7月至2010年9月(連續15個月)以來最長連續紀錄。
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