英特爾22奈米打造新一代行動晶片，預計2013年問世

精實新聞 2012-12-11 12:47:52 記者 陳瑞哲 報導

全球半導體龍頭英特爾(Intel)十日公布了新一代行動晶片的設計細節，試圖展現該公司想要在行動運算市場迎頭趕上的企圖心。

華爾街日報報導指出，自去年三維電晶體(three-dimensional transistor)，或英特爾所稱的三閘極(Tri-gate)電晶體技術，被導入行動晶片後，其效能與功耗都有顯著改善，而剛公布的技術文件顯示，英特爾在此方面，似乎也有所突破。在此之前，英特爾尚未在其設計的行動晶片上使用類似技術。

新晶片在製程上除了採用22奈米工藝技術打造外，還將採用新的單晶片系統(System-on-a-Chip，簡稱SoCs)來減少晶片體積，英特爾宣稱，此項技術將使新晶片，在處理速度上，較現有的32奈米晶片提升22%至65%。

路透社報導指出，英特爾早已在個人電腦處理器上使用22奈米技術，但由於SoCs將整合更多的功能在單一晶片上，因此要將之應用在手機或平板電腦晶片上，會有一定的難度。市場顧問公司Moor Insights & Strategy研究專員Patrick Moorhead預估，新晶片最快會在2013年下半年問世。

儘管英特爾工藝技術能力毋庸置疑，但許多分析師還是不看好，其行動晶片可以與高通(Qualcomm)、蘋果、或其它安謀(ARM)所授權的晶片製造商抗衡。