三星量產TSV DDR4模組！速度快一倍、用電省一半
MoneyDJ新聞 2014-08-27 12:20:39 記者 陳苓 報導 DDR4時代逐漸來臨！三星電子(Samsung Electronics)27日宣布開始量產業界首見的直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via、TSV)封裝的DDR4模組(見圖)，速度較前代快上一倍，用電量卻只要一半。
韓聯社報導，三星公關主管Kim Ki-hoon表示，TSV技術能直接傳送數據，可大幅提升效率。新推出的DDR4為64GB，供伺服器使用，由36個四層晶片組成，每個晶片內含4個4 gigabit DRAM。三星表示，TSV技術還能堆疊更多晶片，模組容量可大於64GB。
三星稱量產TSV DRAM模組可讓該公司稱霸高階DDR4 DRAM市場，也能為今年下半推出的次世代中央處理器，提供高效解決方案，該公司將於下半年生產64GB以上的高階DDR4模組。三星估計，今年全球DRAM市場達386億美元，其中伺服器需求約佔20%，預估雲端運算盛行會帶動高階DRAM需求。
Tech 2網站13日報導，英特爾(Intel)X99平台預料會在9月的英特爾開發者論壇亮相，會場發表的8核心桌電處理器Haswell-E和X99平台都可能會採用DDR4記憶體。Techgage報導，DDR4價格高昂，以Crucial的DDR4模組為例，價格較DDR3高出60%以上。
ValueWalk 20日公佈Capital Cube分析師Veibha Subramaniam報告，當前市面智慧機使用的DRAM多為DDR3晶片。三星、美光、SK海力士佈局次世代科技，均開始量產20奈米製程的DDR4晶片，以便用於新iPhone和Android智慧機。華亞科(3474)將於今年底量產DDR4晶片，南科(2408)可因持有華亞科股權受惠。
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