日經：中國半導體實力進步、僅落後台積電3年
MoneyDJ新聞 2024-08-26 08:50:00 記者 蔡承啟 報導  據日經新聞指出，日本專業拆解公司分析拆解報告表示，中國半導體實力進步、已逼近到僅落後台積電(2330)3年的水準，美國的管制措施、僅稍微拖慢中國的技術革新、但卻刺激了中國半導體產業的自家生產腳步。
日經新聞26日報導，每年拆解約100項電子機器產品的半導體調查公司TechanaLye社長清水洋治表示，中國半導體實力進步、已逼近到僅落後台積電3年的水準。清水洋治以2024年4月開賣的華為最新智慧手機「Huawei Pura 70 Pro」的應用處理器(AP)「KIRIN 9010」和2021年的華為高性能智慧手機用AP「KIRIN 9000」為例，「KIRIN 9010」由華為旗下海思半導體設計、中國晶圓代工大廠中芯採用7奈米技術進行量產，而「KIRIN 9000」則由海思半導體設計、台積電2021年時以5奈米技術進行量產。
報導指出，一般來說，電路線幅變細的話，半導體處理性能就會變高、晶片面積變小，而據清水洋治指出，中芯採用7奈米量產的晶片面積為118.4平方毫米、和台積電5奈米晶片面積(107.8平方毫米)差距不大，不過處理性能卻幾乎相同。清水洋治表示，雙方在良率上雖有落差，但光從出貨的晶片性能來看，中芯的實力逼近到僅落後台積電3年，而中芯採用7奈米技術卻能達到和台積電5奈米同等的性能，顯示海思半導體的設計能力進一步揚升。
據報導，除了記憶體、感射器外，Pura 70 Pro合計搭載了37個主要半導體產品，其中海思半導體負責14個、其他中國廠商負責18個，非中國製產品僅DRAM(SK Hynix)、運動感測器(Bosch)等5個，也就是說、高達86%半導體為中國製。
關於中國能自家生產如此廣泛的半導體產品，清水洋治認為，「這代表美國管制對象實質上僅限於使用在AI等用途的伺服器用先進半導體。只要不構成軍事威脅、(美國)應該就會容許」。清水洋治總結指出，「美國政府的管制措施、當前僅僅是稍微拖慢中國的技術革新、但卻刺激了中國半導體產業的自家生產腳步」。
(圖片來源：Shutterstock)
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