傳三星西安廠明年量產3-bit V-NAND flash、月產70萬片
MoneyDJ新聞 2014-11-11 10:12:57 記者 陳苓 報導 三星電子(Samsung Electronics)挽救下滑業績，全力衝刺半導體，傳將力拼固態硬碟(SSD)事業。該公司擬在SSD採用3-bit V-NAND flash記憶體技術，提升儲存效能，未來中國西安廠也會加入3-bit V-NAND flash晶片的量產行列。
BusinessKorea 10日引述業界人士報導，3-bit V-NAND flash儲存效能更勝於平面(planar)NAND flash，用於SSD可提升表現、價格也更有競爭力。三星上月初已在首爾近郊的華城廠(Hwaseong)量產3-bit V-NAND flash，但是由於華城主要生產平面NAND flash， V-NAND晶片每月產量不到10萬片。
為提高3-bit V-NAND flash供應量，據了解三星中國西安廠也著手準備量產，外界預期西安廠會在明年5、6月投產。西安廠每月生產30萬-40萬片V-NAND晶片，產能全開時，產量可增至70萬片。
目前全球僅有三星有能力量產3D V-NAND flash，外界認為三星技術領先對手兩年。該公司預定明年發表搭載3-bit V-NAND flash的SSD。
IHS Technology預估，今年三星SSD銷售將年增60%至32.77億美元，市佔率可從去年的26%增至29%，穩居冠軍。IHS認為亞軍是SanDisk、市佔率為19%，接著是英特爾(Intel)的18%，東芝(Toshiba)的9%、美光(Micron Technology)的8%。
韓聯社報導，三星電子(Samsung Electronics)10月9日宣布量產業界首見的3-bit 3D記憶體V-NAND flash晶片，可用於SSD硬碟，提升儲存效率。
新品每個記憶單元(cell)皆可儲存3 bit數據，之前3-bit技術僅用於平面(planar)NAND flash，如今拓展用途，使用於3D V-NAND flash。新款3-bit 3D晶片採用第二代V-NAND技術，垂直堆疊32層，整合程度比24層晶片高出30%。
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