MoneyDJ新聞 2024-10-23 12:35:34 記者 新聞中心 報導
隨著奈米晶片需求迅速成長，原子層沉積(ALD)技術以其精確的原子級鍍膜能力和卓越的均勻性，成為推動半導體製程向前進的關鍵技術。工研院機械所資深研究員江柏風於「眺望2025產業發展趨勢研討會」中，以「揭未來：先進的原子級鍍膜引領奈米晶片新時代」為題，進行專題演講，他表示，隨著ALD技術的持續優化與創新，預計將在高階AI晶片、先進製程晶片、5G通訊晶片和生醫感測器等領域發揮更大的作用。
隨著電子產品朝向輕薄短小、多功能和低功耗的趨勢發展，奈米晶片的需求持續攀升。傳統的鍍膜技術如物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)已難以滿足高深寬比結構和精密製程的要求。原子層沉積(ALD)技術憑藉其精確的原子級膜厚控制和卓越的均勻性，正是推動半導體製程進入更小尺規的關鍵技術。
ALD技術透過逐層沉積原子薄膜，並且能在低溫環境下實現高品質的鍍膜材料，並在複雜的立體結構的表面上達到極佳的覆蓋率。這使得ALD在先進製程中能夠精準控制薄膜厚度，特別是在過渡金屬二硫化物(TMD)等二維材料的鍍膜上，展現出提升半導體晶片性能的巨大變革。
工研院投入開發全球首創的高效雙模態原子層鍍膜系統(Hy-ALD)，成功突破國際專利障礙。該系統將多道鍍膜步驟整合為一個高效能、多功能的系統，不僅提升了鍍膜品質和產能，還顯著縮短了製程時間、降低用電量和成本，達到節能減碳的效果。該技術榮獲2023年國際R&D100研發大獎，並在「2023 SEMICON TAIWAN」展會上廣受關注，推動了台灣半導體產業的未來發展
江柏風指出隨著ALD技術的持續優化與創新，預計將在高階AI晶片、先進製程晶片、5G通訊晶片和生醫感測器等領域發揮更大的作用。透過與國內外半導體廠商的合作，ALD技術將實現高效能與高可靠性的製程技術，推動半導體技術持續邁進與革新。
