MoneyDJ新聞 2024-12-04 13:19:02 記者 郭妍希 報導
市場謠傳,SK海力士(SK Hynix)將應重要客戶要求,於明(2025)年下半以3奈米生產客製化的第六代高頻寬記憶體(HBM)「HBM4」,而非原定的5奈米製程。
《韓國經濟新聞》3日引述半導體業界消息報導了上述消息。SK海力士已決定跟晶圓代工龍頭台積電(2330)合作開發HBM4,而主要出貨的客戶是輝達(Nvidia Corp.)。
消息人士透露,SK海力士最快明年3月就會發布一款採3奈米基礎裸晶(base die)的垂直堆疊HBM4原型。輝達繪圖處理器(GPU)目前是基於4奈米HBM。基礎裸晶位於連結GPU的HBM底部,作用形同晶片頭腦。堆疊在3奈米基礎裸晶的HBM,效能有望較5奈米HBM4提升20~30%。
SK海力士運用3奈米裸晶生產HBM4,有望進一步擴大跟對手三星電子(Samsung Electronics Co.)的差距。三星計畫運用旗下4奈米製程生產HBM4。
爆料人士@Jukanlosreve 3日透過社交平台X指出,SK海力士之所以改以台積電3奈米技術製造HBM4、是為了回應三星以4奈米生產HBM4的聲明。結果,三星如今也考慮以3奈米生產HBM4,甚至可能選用台積電的3奈米技術。
SK集團會長崔泰源(Chey Tae-won) 11月4日在首爾舉行的《SK AI高峰會》曾提到,「上次我跟輝達執行長黃仁勳(Jensen Huang)會面時,他問我可否提前6個月供應HBM4。我詢問SK海力士執行長是否可行,得到他會努力嘗試的回應。因此,我們便決定把供應的日期提前6個月。」他當時並形容台積電是真正為客戶著想的企業。
三星執行副總Kim Jae-june 10月31日曾在電話會議表示,由於達成HBM客戶的要求非常重要,因此三星在選擇晶圓代工夥伴製造基礎裸晶時會保持彈性,無論是內部、抑或是外部晶圓廠都會納入考量。Shinyoung Securities晶片分析師Park Sang-wook直指,若三星跟台積電合作、將是前所未見的行動,這暗示三星的晶圓代工事業還無法提升良率,技術也不受HBM大客戶青睞。
(圖片來源:shutterstock)
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