4奈米大戰，三星較吃香？搶先用EUV、擁抱GAAFET

MoneyDJ新聞 2017-11-30 09:52:36 記者 陳苓 報導

晶圓代工之戰，7奈米製程預料由台積電(2330)勝出，4奈米之戰仍在激烈廝殺。外媒稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設備，又投入研發能取代「鰭式場效電晶體」(FinFET)的新技術，目前看來似乎較佔上風。

Android Authority報導(見此)，製程不斷微縮，傳統微影技術來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的EUV，才能準確刻蝕電路圖。5奈米以下製程，EUV是必備工具。三星明年生產7奈米時，就會率先採用EUV，這有如讓三星在6奈米以下的競賽搶先起跑，可望加快發展速度。

相較之下，台積電和格芯(GlobalFoundries、原名格羅方德)的第一代7奈米製程，仍會使用傳統的浸潤式微影技術，第二代才會使用EUV。

製程微縮除了需擁抱EUV，也需開發FinFET技術接班人。電晶體運作是靠閘極(gate)控制電流是否能夠通過，不過晶片越做越小，電流通道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，未來FinFET恐怕不敷使用，不少人認為「閘極全環場效電晶體」(Gate-all-around FET，GAAFET)是最佳解決方案。

今年稍早，三星、格芯和IBM攜手，發布全球首見的5奈米晶圓技術，採用EUV和GAAFET技術。三星路徑圖也估計，FinFET難以在5奈米之後使用，4奈米將採用GAAFET。儘管晶圓代工研發不易，容易遇上挫折延誤，不過目前看來三星進度最快。該公司的展望顯示，計畫最快在2020年生產4奈米，進度超乎同業，也許有望勝出。

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