精實新聞 2014-01-21 10:50:56 記者 王彤勻 報導
台積電(2330)法說會落幕，釋出今年CAPEX約達95~100億美元、約與去年持平，且對EUV(極紫外光)微影技術進展看法呈略為保守態度。而外資巴克萊對此也出具報告解讀，台積今年CAPEX並沒有持續走高，主因是20奈米HKMG製程以及下一世代的16奈米FinFET製程之間，有90%的機台設備都是重疊的，這對部分半導體設備商而言不是太好的消息，估計16奈米新湧現的設備需求將僅會集中於前段製程。
而由於16奈米與20奈米機台設備重疊率高，巴克萊估，相較於市場原本預期，今年晶圓廠設備採購年增可望上看15%，如今可能僅在10%上下。
巴克萊進一步分析，幾乎所有在20奈米製程所使用的微影(litho)、沉積(deposition)、蝕刻(etching)、化學研磨(CMP)、檢測(metrology and inspection)等設備，在16奈米製程都能重複使用，因此16奈米FinFET後段製程對設備的需求不會太高。惟因FinFET前段製程的複雜度增加，的確對化學氣相沉積(CVD)、e-beam檢測相關設備將產生新一波需求。
至於EUV進度方面，根據台積在法說會的說法，在EUV能夠有效降低生產成本之前，10奈米製程應該還是會採用浸潤式(immersion)微影技術。台積共同執行長暨總經理劉德音也坦言，EUV是一個「大膽的技術」，台積雖研究很多年，不過目前進展還是如同設備大廠ASML所言，比預期來得慢。
巴克萊則解讀，台積雖並沒有放棄EUV，且規劃在10奈米的其中一個關鍵層採用EUV微影技術，不過大多數的層數仍將採用浸潤式工具進行微影，主要是由於EUV現階段仍不符合生產成本效益，甚至還不見得比三層曝光(triple patterning)便宜。
巴克萊指出，倘若EUV技術到10奈米還無法準備好，台積是否會如同早先預期，在7、5奈米採用EUV技術則更充滿問號，反而可能轉向採用多重電子束(multiple e-beam direct write)技術。
惟巴克萊也點出，去年全球EUV光刻機(EUV Stepper)的出貨仍較2012年雙倍成長，其中又以三星為最積極的採購者，這也顯示目前半導體供應鏈仍多將研發重心押寶在EUV上。
