Panasonic傳已研發出處理速度達快閃記憶體20倍的ReRAM

精實新聞 2012-02-22 07:01:52 記者 蔡承啟 報導

日經新聞22日報導，Panasonic已研發出一款處理速度(資料寫入速度)可達NAND型快閃記憶體(Flash Memory)20倍的次世代記憶體「ReRAM(可變電阻式記憶體)」，且藉由對半導體回路及構造進行改良後，其記憶容量也獲得大幅提升；ReRAM為一種即便關掉電源數據資料也不會消失的記憶體。報導指出，Panasonic計畫將此次所新研發的ReRAM搭載於需要處理大量情報的智慧型手機或平板電腦上，並計劃於今後2-3年內將其實用化(量產)。

報導指出，上述新研發的ReRAM產品因可藉由現有的半導體製程進行生產，故預估其生產成本將同於NAND Flash。據報導，Panasonic原先就計劃於今(2012)年內領先全球率先量產ReRAM，而Panasonic此次新研發的產品的處理速度則又較量產版產品提高了1倍(Panasonic即將於今年量產的ReRAM產品的處理速度達NAND Flash的10倍)。

日經新聞曾於2010年10月13日報導指出，日本DRAM龍頭廠爾必達(Elpida)將與Sharp合作，攜手研發情報處理速度及耗電力皆優於現行NAND Flash的新型半導體記憶體「ReRAM」；雙方計劃於2013年進行送樣並利用爾必達生產據點進行量產。

惠普(HP)於2010年8月31日宣布，該公司已經跟南韓記憶體晶片大廠Hynix Semiconductor Inc.簽訂聯合開發協議，雙方將攜手開發新材料以及製程整合技術，將一種名為憶阻器(memory resistor；簡稱「memristor」)的新型電路元件商用化為新型非揮發性電阻式隨機存取記憶體「ReRAM」。