三菱電機增產SiC，計劃投資約1000億日圓

三菱電機增產高效節能的碳化矽功率半導體

據媒體報導，三菱電機發表將增產高效節能碳化矽（SiC）功率半導體。計劃投資約1,000億日圓，在熊本縣菊池市廠區興建新廠房。預計至2026年晶圓產能將較2022年增加5倍。

新廠房預定2026年4月投產。在蝕刻電路的「前製程」，將首次使用生產效率更高的直徑200毫米晶圓，並將2022年已停產的液晶模組工廠轉為晶圓生產廠，另位於熊本縣合志市同為前製程的工廠也將強化150毫米晶圓生產設備。

三菱電機為強化在分割晶圓「後製程」的生產，將對位於福岡市的Power Device製作所投資100億日圓興建新廠房，整合製程相關工程。

據瞭解，三菱電機於2010年開始量產碳化矽功率半導體。依據法國調查公司Yole統計，三菱電機在2021年全球碳化矽功率半導體市場占第6位。在日本企業中次於排名第4位的羅姆。富士電機及東芝也進入世界前十位，第一位是瑞士的意法半導體。由於電動汽車（EV）逐漸普及，市場對功率半導體的需求益增。三菱電機在2021年至2025年5年間計畫投入2,600億日圓用在功率半導體相關設備投資，為原投資計劃1,300億日圓的2倍。

三菱電機已訂出2025年將功率半導體銷售額較2021年度增加34％至2,400億日圓的目標，營利率目標為10％。也正在加強矽功率半導體的生產，2022年4月已在廣島縣福山市的新廠開始量產，計畫在2024年開始使用300毫米晶圓進行生產。(資料來源：經濟部國貿局)