搶救HBM良率 傳三星吞下自尊、跟進對手先用技術

MoneyDJ新聞 2024-03-13 10:43:21 記者 郭妍希 報導

路透社12日獨家報導，生成式AI大受歡迎，帶動HBM需求跳增。然而，就在SK海力士、美光(Micron Technology)先後與輝達(Nvidia Corp.)敲定HBM供應協議之際，三星卻意外缺席。據悉，三星的HBM3至今仍未通過輝達的品質測試。

分析師及業界人士相信，三星堅持使用非導電性膠膜(Non-Conductive. Film；NCF)技術，因而面臨一些生產問題，是進度落後的原因之一。相較之下，SK海力士卻率先改用批量回流模制底部填充(mass reflow molded underfill；MR-MUF)技術，解決NCF弱點，也成為第一家供應HBM3晶片給輝達的廠商。

不過，消息透露，三星最近已下單採購專為MUF設計的晶片製造設備。一名人士說，「三星必須設法提升HBM良率......改採MUF對三星來說有點吞下自尊的意味，因為這代表該公司終究還是得跟進SK海力士。」

數名分析人士直指，三星HBM3的良率目前只有10~20%，SK海力士的HBM3良率卻已來到60~70%。據消息，三星也在跟數家材料商接洽、希望採購MUF材料，當中包括日商長瀨產業株式會社(Nagase)。消息透露，三星打算在最新款HBM晶片同時使用NCF、MUF兩種技術。

美光已於2月26日宣布，開始量產高頻記憶體「HBM3E」，將應用於輝達最新AI晶片「H200」Tensor Core繪圖處理器(GPU)。H200預定今(2024)年第二季出貨，取代當前算力最強大的H100。

Wccftech 3月4日引述南韓媒體DealSite報導，美光、SK海力士等HBM廠商面臨良率低迷窘境，為了通過輝達次世代AI GPU的品質測試，彼此正在激烈競爭。消息顯示，HBM的整體良率目前約在65%左右，若業者試圖拉高良率、產量就會隨之下降。

HBM良率高低，主要跟堆疊架構的複雜程度有關，這牽涉到多重記憶體階層，及作為各層連結之用的直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via，簡稱TSV)技術。這些複雜技術增加製程出現缺陷的機率，可能因此讓良率低於設計較簡單的記憶體。此外，由於HBM一旦有一個晶片有缺陷，整個封裝都需丟棄，因此產量很低。

(圖片來源：三星電子)

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