美光/英特爾合作20nm 128Gb NAND試產
精實新聞 2011-12-09 07:47:21 記者 楊喻斐 報導 英特爾和美光科技宣佈推出NAND快閃記憶體技術，為全球首款20nm/ 128Gb的多層單元(MLC)裝置，而英特爾與美光也表示，20nm/ 64Gb NAND快閃記憶體已於本月量產，進入2012年將迅速導入至128Gb產品，預計128Gb 樣品可於2012年1月提供，2012年上半年就能開始量產。
英特爾和美光科技合資的IM快閃記憶體技術 (IM Flash Technologies-IMFT) 公司開發的新款20nm/ 128Gb單片裝置是業界第一只能存儲1 TB資料的器件，在其僅僅指尖大小的空間內封裝8片裸片。
新款20nm/ 128Gb MLC NAND裝置的儲存容量和性能是IMFT現有20nm/ 64Gb NAND裝置的雙倍，該 128Gb裝置滿足高速ONFI 3.0規範的要求，可達到333MT/s的傳輸率，為客戶提供一個更具成本效益的超薄、流線造型優美產品設計，例如平板電腦、智慧型手機和大容量固態硬碟(SSD)等。
美光科技NAND解決方案事業群副總裁Glen Hawk表示，由於可攜式設備體積變得越來越小、造型越來越優美，對伺服器要求也越來越高，因此客戶希望美光科技的創新儲存技術和系統解決方案能應對這些挑戰，而與英特爾的合作將繼續提供領先的NAND技術。
20nm NAND裝置採用一種平面式單元結構，首次應用於此產業，以克服推進製程技術伴隨而來的內在困難，這使得其性能和可靠性與上一代產品媲美，而且生產的良率表現也不輸給上一代製程技術。
為了有效處理資料，伺服器需要NAND裝置提供高品質且龐大之儲存容量。隨著資料存取的增加，手機設備的儲存需求也不斷地增長，其中高畫質影片也是需要龐大儲存容量應用的例子之一。
英特爾與美光表示，20nm/ 64Gb NAND快閃記憶體於本月正式量產，進入2012年即能迅速導入至128Gb產品，預計128Gb 樣品可於2012年1月提供，2012年上半年就能開始量產。
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