華邦電：兩大利空因素漸除，Q2營運可望回溫

精實新聞 2012-02-08 17:04:34 記者 楊喻斐 報導

華邦電(2344)總經理詹東義表示，受到市場供過於求與客戶庫存調節衝擊，去年第四季產品價格跌價慘烈，12月更是見到不合理的殺價競爭，不過所幸進入今年1月之後，市場已經逐漸回歸理性，價格頗有落底的跡象，加上利空因素之一的硬碟供應鏈情況也將於第二季恢復正常，均將有助於營運表現回穩。

詹東義表示，觀察各產品線的價格已經有落底的跡象，跌幅轉趨緩和，不然再往下跌的話，將嚴重衝擊產業；對於華邦電而言，則是積極透過製程微縮來降低成本，去年第四季，NOR Flash已導入58奈米並開始大量投片，與其他競爭者多以90奈米製程為主流相較之下，具有成本優勢。

詹東義也強調，公司已經在Serial Flash站穩領先地位，今年將持續擴大市占率，將聚焦於小尺寸封裝產品，增加網通應用及手持裝置應用，另一方面，Parellel Flash布局上也有所進展，對於營收貢獻度將增溫，整體而言，預估今年NOR Flash產品線占營收比重將以超過40%為目標。

另外，華邦電今年下半年將開始試產46奈米儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產品，該技術為自行開發完成，今年底至明年第一季左右推出新產品，將鎖定通訊、消費性電子與車用市場，並以低容量的SLC NAND Flash為主，不與全球前三大NAND Flash廠商正面競爭。

在Mobile RAM行動記憶體的部分，詹東義表示，公司主要產品以Pseudo RAM為主，今年將往更高密度的產品發展，同時強化中密度Low Power DRAM產品線於PC週邊設備及手持裝置應用。

在Specialty DRAM方面，詹東義表示，HDD產業鏈預計在第二季逐漸恢復正常，而華邦將持續改善Specialty DRAM產品組合以及降低成本，預計今年所有DRAM產品都將轉進46奈米。

展望今年，詹東義指出，華邦將持續聚焦於全方位中低密度記憶體之解決方案，加速製程轉換，推出多元性產品組合，至於資本支出規畫為33億元，主要用來進行製程微縮與增加Flash的產能，而透過製程微縮，每片晶圓產出量至少可以增加50%以上，有利持續降低成本，整體月產能則維持3.5萬片的水準。