劉德音：台積3奈米製程進度超前
MoneyDJ新聞 2021-02-19 08:03:10 記者 新聞中心 報導 台積電(2330)董事長劉德音近日於《2021年國際固態電路會議(ISSCC 2021)》開場線上專題演說時表示，台積電3奈米製程依照計畫時程發展，甚至比預期進度超前了一些，有信心包括3奈米及未來主要製程節點將如期推出並進入生產。
劉德音在「釋放創新未來(Unleash the Future of Innovation)」的演說主題中指出，半導體製程微縮的腳步並未減緩，積體電路的功耗、性能及電晶體密度仍持續進步，台積電的3奈米比預期進度超前，至於2奈米之後的電晶體架構將轉向環繞閘極(GAA)的奈米薄片(nano-sheet)架構。
劉德音也指出，藉由紫外光微影(EUV)技術，產業界已打破前一代微影技術的尺寸限制，但產量仍是一個問題；EUV可使用較少層數的光罩，使成本達到理想的水準，但EUV功耗極大，為此，台積電已取得350W照明光源技術突破，將可支援5奈米量產甚至到1奈米節點。
在材料技術革新方面，劉德音指出，材料的創新將推動晶片技術持續向前邁進，低維度材料包括六方氮化硼(hBN)等2D材料，已接近實現量產；台積電已與台灣學界團隊合作，成功以大面積晶圓尺寸生長單晶氮化硼，成果並已獲刊於國際學術期刊《Nature》；而低溫製程則將實現晶圓級的邏輯與記憶體活性層(active layer)堆疊，打造真正的3D IC；此外，他也強調了小晶片(Chiplet)在實現特定領域解決方案上的重要性。
展望未來，劉德音表示，3D晶片堆疊會是重點，而透過台積電的SoIC(system on IC)、低溫鍵合(bonding)製程，可實現3D晶片堆疊。
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